FQD19N10TM-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備20A連續(xù)漏極電流（ID）和100V漏源耐壓（VDSS），滿足中高功率應(yīng)用需求。導(dǎo)通電阻（RDON）典型值為80mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高整體能效。器件采用通用封裝形式，具備良好的散熱性能與可靠性，適用于電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)控制、電機(jī)驅(qū)動及照明設(shè)備等多種電子系統(tǒng)，為電路設(shè)計提供高效且穩(wěn)定的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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