IXTY90N055T2-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:60V 參數3:RDON:6.5mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)主要參數如下:最大漏極電流ID可達80A,漏源擊穿電壓VDSS為60V,導通電阻RDON低至6.5mΩ。該器件適用于高效率、大功率的開關應用場合,如電源轉換器、電機驅動電路、儲能系統以及高性能計算設備中的功率管理模塊。其低導通電阻與高電流承載能力可有效降低損耗,提升系統整體能效和穩定性。
