DMN3069L-7-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:5.8A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:22mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備30V漏源電壓(VDSS)和5.8A連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)低至22mΩ,可有效降低導通損耗,提高系統效率。器件采用成熟工藝制造,具有良好的穩定性和耐用性,適用于各類中低功率電源轉換、開關控制、電機驅動及便攜式電子設備中的功率管理場景,滿足多樣化電路設計需求。
