SI2338DS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V漏源電壓（VDSS）和5.8A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至22mΩ，有助于提升電路效率并減少發熱。器件結構設計優化，具備良好的開關特性和熱穩定性，適用于多種中低功率電源管理、開關電路、電池供電設備、消費類電子產品及嵌入式系統的功率控制應用。
