SQ2348CES-T1_GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于多種電源管理及功率控制場合。其主要參數包括：漏極電流ID為5.8A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，確保在中等功率應用中的穩定表現；導通電阻RDON低至22mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于開關電源、電機驅動、電池保護電路及各類消費類電子設備中的功率控制單元。
