IRFR3410TRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有100V的漏源電壓（VDSS）和30A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為35mΩ，能夠在高功率密度環境下實現較低的能量損耗。器件基于成熟工藝設計，具備良好的熱穩定性與開關性能，適用于電源轉換、儲能系統、高頻開關電路及多種電子設備中的功率控制場合，為電路設計提供高效且可靠的核心支持。
