SQ4410EY-T1_GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:15A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至7.5毫歐。該器件適用于需要高效功率控制的場景，能夠提供良好的電氣性能與熱穩定性。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統整體效率。同時，30V的漏源耐壓能力使其可勝任多種中低壓功率應用環境。
