IPD90P03P404ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS），可承受最高100A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至3.5mΩ，顯著降低導通損耗并提升整體效率。該器件適用于高側電源開關、直流-直流轉換器及大電流控制電路，具備優異的熱穩定性和高頻開關性能，適合用于各類中高功率電子設備的設計與應用，滿足對能效和可靠性要求較高的場景需求。
