NVATS5A107PLZT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:50A 參數2:電壓VDSS:40V 參數3:RDON:10mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管(MOSFET),具有50A的連續漏極電流(ID)和40V的漏源擊穿電壓(VDSS),適用于中高功率應用場景。導通電阻(RDON)低至10mΩ,可有效降低導通損耗,提高系統效率。器件采用成熟工藝制造,具備良好的熱穩定性和可靠性,適用于電源管理、開關電路、負載控制及便攜式設備中的直流變換等場景,滿足多種電子系統對高效、小型化的需求。
