NVMFS024N06CT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為N溝道場效應管（MOSFET），具有30A的連續漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中功率開關與電源轉換應用。導通電阻（RDON）低至20mΩ，有效降低導通損耗，提升系統能效。器件采用優化的結構設計，具備良好的熱穩定性和耐用性，適用于電源管理模塊、DC-DC轉換器、電機驅動電路及高性能計算設備中的功率控制單元，滿足多樣化電子系統對效率與可靠性的需求。
