NVMFS024N06CT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有30A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中功率開關(guān)與電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。導(dǎo)通電阻（RDON）低至20mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件采用優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適用于電源管理模塊、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動電路及高性能計算設(shè)備中的功率控制單元，滿足多樣化電子系統(tǒng)對效率與可靠性的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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