SIS429DNT-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:35A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備良好的導電能力和穩定的電氣性能。其漏極電流ID為35A，漏源電壓VDSS為30V，適合多種中功率應用場景。導通電阻RDON為13mΩ，有助于降低功耗并提升效率。該器件常用于電源切換、負載管理及直流電機控制等電路中，適用于智能家電、消費電子、儲能設備及通信模塊等多樣化領域，助力實現高效、緊湊的電路設計方案。
