SIS429DNT-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:35A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備良好的導(dǎo)電能力和穩(wěn)定的電氣性能。其漏極電流ID為35A，漏源電壓VDSS為30V，適合多種中功率應(yīng)用場景。導(dǎo)通電阻RDON為13mΩ，有助于降低功耗并提升效率。該器件常用于電源切換、負(fù)載管理及直流電機(jī)控制等電路中，適用于智能家電、消費(fèi)電子、儲能設(shè)備及通信模塊等多樣化領(lǐng)域，助力實現(xiàn)高效、緊湊的電路設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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