NVMFS5C670NLAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET），適用于高效率、高密度電源系統(tǒng)設(shè)計。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至5.3mΩ，支持高電流能力與低損耗運行。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合用于同步整流、功率開關(guān)、DC-DC變換器及儲能管理系統(tǒng)等應(yīng)用場景。該MOSFET在高頻工作條件下表現(xiàn)出色，有助于提升整體系統(tǒng)效率和響應(yīng)速度，滿足多樣化電子設(shè)備對功率控制的嚴苛要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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