NVMFS5H663NLWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具有出色的導電能力和穩定性，適用于多種電源管理與功率控制場景。其漏極電流ID可達80A，漏源電壓VDSS為60V，滿足中高功率電路的設計要求；導通電阻RDON僅為5.3mΩ，有效降低損耗并提升整體效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，支持高頻開關操作。可應用于電源適配器、電池充放電管理、DC-DC轉換器及各類高效能電子設備中，適應多樣化電路設計需求。
