SQJA04EP-T1_BE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備優異的電氣性能，適用于多種高效電源管理系統。器件最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS達60V，滿足較高功率應用需求；導通電阻RDON低至5.3mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。采用成熟穩定的制造工藝，保證了良好的熱穩定性與可靠性。可廣泛應用于開關電源、同步整流、電池保護電路及高密度電源模塊等領域，支持高頻運行，適應復雜工作環境，助力高性能電路設計實現。
