BSC0703LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備優(yōu)異的電性能與高可靠性，適用于多種功率應(yīng)用場景。其漏極電流ID可達(dá)80A，漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至5.3mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率。器件結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適合用于電源適配器、儲能系統(tǒng)、智能家電及高性能計算設(shè)備中的功率控制與能量轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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