DMTH6010LPSWQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高性能的導(dǎo)電能力和良好的熱穩(wěn)定性。其最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON僅為5.3mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。適用于各類中高功率電源轉(zhuǎn)換設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動電路、智能家電以及通信設(shè)備中的開關(guān)與調(diào)節(jié)應(yīng)用，滿足對小型化與高效能兼顧的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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