NTMFS5C670NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET）具有良好的電性能和穩(wěn)定性，漏源電壓VDSS為60V，最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)80A，導(dǎo)通電阻RDON典型值為5.3mΩ。該器件適用于多種中高功率電源管理與轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如開關(guān)電源、電池充放電控制及直流變換器等電路。憑借較低的導(dǎo)通損耗和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，該MOSFET可有效提升系統(tǒng)效率與可靠性，適合用于對性能和能效有較高要求的電子設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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