ISC0805NLSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道增強型場效應管（MOSFET）具有100V漏源耐壓（VDSS）和75A持續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率電路設計。導通電阻（RD(on)）僅為6.4mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件可廣泛應用于電源管理、開關變換器、負載控制及高性能電子設備中，滿足對能效、熱穩定性和空間布局有要求的電路場景。標準封裝形式有利于簡化電路板設計與量產實施，是一款性能穩定的通用型功率MOSFET。
