ISC0805NLSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:75A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET）具有100V漏源耐壓（VDSS）和75A持續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于中高功率電路設(shè)計。導(dǎo)通電阻（RD(on)）僅為6.4mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件可廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)變換器、負(fù)載控制及高性能電子設(shè)備中，滿足對能效、熱穩(wěn)定性和空間布局有要求的電路場景。標(biāo)準(zhǔn)封裝形式有利于簡化電路板設(shè)計與量產(chǎn)實施，是一款性能穩(wěn)定的通用型功率MOSFET。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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