RS1P600BHTB1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有較高的電流承載能力，連續漏極電流ID可達75A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，適用于中高功率電源管理系統。導通電阻RDON典型值為6.4mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于各類高效能轉換設備中的開關應用。
