IRFH5010TRPBF-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:75A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有較高的電流承載能力，最大漏極電流（ID）達75A，漏源擊穿電壓（VDSS）為100V，導通電阻（RDON）低至6.4mΩ。該器件適用于高功率密度電源系統、高效能轉換器、電池管理系統以及大功率負載的開關控制。其低導通電阻可顯著降低導通損耗，提高系統整體效率，同時支持在較高頻率下穩定工作，適合對性能和可靠性有較高要求的應用場景。
