BSC096N10LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:75A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:6.4mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管(MOSFET),具有較高的電流承載能力,持續漏極電流ID可達75A,漏源電壓VDSS為100V,確保在中高功率應用中的穩定性。導通電阻RD(on)低至6.4mΩ,可有效降低導通損耗,提高系統效率。適用于電源管理、開關電路、負載控制及高性能電子設備中,滿足對能效和散熱要求較高的場景。器件采用標準封裝形式,便于集成與量產,是一款性能均衡的通用型MOSFET。
