DMTH10H025LK3Q-13-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有100V漏源電壓（VDSS）和40A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至20毫歐，支持高頻、高效率的開(kāi)關(guān)操作。器件結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，具備良好的熱穩(wěn)定性和較低的開(kāi)關(guān)損耗，適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、智能家電以及通信設(shè)備中的功率控制部分，適合對(duì)性能與可靠性有較高要求的電子系統(tǒng)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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