DMTH10H025SK3-13-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備100V漏源電壓（VDSS）和40A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為20毫歐，適用于高效率功率開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。器件采用優(yōu)化的晶圓結(jié)構(gòu)，提升了開(kāi)關(guān)速度與熱穩(wěn)定性，可廣泛用于電源適配器、電池管理系統(tǒng)、智能家電及通信設(shè)備中的功率控制電路，滿(mǎn)足對(duì)能效與可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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