SQD40N10-25-T4_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS）和40A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率場景。導通電阻（RDON）低至20毫歐，有助于降低導通損耗并提高系統效率。器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合用于電源管理、開關電路、電機控制及LED照明等多樣化電子設備中，為電路設計提供高效、穩定的性能支持。
