SQD40N10-25-T4_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有100V的漏源擊穿電壓（VDSS）和40A的額定漏極電流（ID），適用于中高功率場景。導(dǎo)通電阻（RDON）低至20毫歐，有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合用于電源管理、開關(guān)電路、電機控制及LED照明等多樣化電子設(shè)備中，為電路設(shè)計提供高效、穩(wěn)定的性能支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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