DMT10H025SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:40A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:20mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管(MOSFET)具有100V漏源電壓(VDSS)和40A連續漏極電流(ID)能力,適用于多種中高功率電路設計。導通電阻(RDON)低至20mΩ,有效降低導通損耗,提升系統能效。器件結構穩定,具備良好的熱管理和可靠性表現,適合用于電源開關、電機控制、LED驅動及家用智能設備等多種應用場景,滿足對性能與耐用性有較高要求的電路需求。
