NVD6824NLT4G-VF01-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備100V漏源耐壓（VDSS）與40A最大漏極電流（ID），適用于多種中高功率電路場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻低至20mΩ（RDON），有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的能量損耗，提高整體效率。器件采用成熟穩(wěn)定的封裝工藝，具備良好的散熱性能和長(zhǎng)期可靠性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明以及智能家電等領(lǐng)域的開(kāi)關(guān)與控制應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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