NVD6824NLT4G-VF01-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備100V漏源耐壓（VDSS）與40A最大漏極電流（ID），適用于多種中高功率電路場景。其導通電阻低至20mΩ（RDON），有助于減少導通狀態下的能量損耗，提高整體效率。器件采用成熟穩定的封裝工藝，具備良好的散熱性能和長期可靠性，適合用于電源轉換、電機驅動、LED照明以及智能家電等領域的開關與控制應用。
