DMT10H025LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:40A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:20mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具備100V的漏源耐壓(VDSS)和40A的連續漏極電流(ID)能力,導通電阻(RDON)低至20mΩ,可顯著降低導通損耗,提升系統效率。器件適用于中高功率電源轉換應用,如高效能電源供應器、儲能系統、電機驅動電路及智能家電中的功率控制模塊。其良好的熱穩定性和優異的開關特性,使其在高頻工作環境下仍能保持可靠運行,滿足對功率密度與能效有較高要求的設計場景。
