DMT10H025LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備100V的漏源耐壓（VDSS）和40A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至20mΩ，可顯著降低導通損耗，提升系統效率。器件適用于中高功率電源轉換應用，如高效能電源供應器、儲能系統、電機驅動電路及智能家電中的功率控制模塊。其良好的熱穩定性和優異的開關特性，使其在高頻工作環境下仍能保持可靠運行，滿足對功率密度與能效有較高要求的設計場景。
