IXTJ4N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于高耐壓、中功率開關應用。其主要參數包括：最大漏極電流ID為3.7A，漏源擊穿電壓VDSS高達1500V，導通電阻RDON為1000mΩ，柵源電壓VGS為±20V，具備良好的開關特性和熱穩定性。該器件可廣泛應用于電源轉換器、適配器、LED照明驅動、家用電器控制電路等場景，滿足高頻開關和高效能電力傳輸的設計需求。
