IXTJ4N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管 參數1:電流ID:3.7A 參數2:電壓VDSS:1500V 參數3:RDON:1000mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管(MOSFET),適用于高耐壓、中功率開關應用。其主要參數包括:最大漏極電流ID為3.7A,漏源擊穿電壓VDSS高達1500V,導通電阻RDON為1000mΩ,柵源電壓VGS為±20V,具備良好的開關特性和熱穩定性。該器件可廣泛應用于電源轉換器、適配器、LED照明驅動、家用電器控制電路等場景,滿足高頻開關和高效能電力傳輸的設計需求。
