2SK3746-1E-HXY_TO-3PF_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數(shù)1：電流ID:3.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），具備高耐壓與中功率開關(guān)特性。主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為3.7A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)1500V，導(dǎo)通電阻RDON為1000mΩ，柵源電壓VGS為20V，具有良好的導(dǎo)通損耗控制和開關(guān)響應(yīng)速度。適用于各類電源管理設(shè)備、充電控制模塊、LED驅(qū)動(dòng)電路及小型電器中的高頻開關(guān)應(yīng)用，滿足多種高性能電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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