IXTQ3N150M-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有1500V的漏源電壓（VDSS）和3.7A的連續漏極電流（ID），適用于中高功率電路中的開關與調節應用。導通電阻為1000mΩ（RDON），在保證性能的同時降低了導通損耗，柵源電壓（VGS）支持最高20V，確保了器件在多種工作條件下的穩定控制能力。該器件適合用于電源轉換器、LED驅動模塊、電機控制器及其他電子設備中的功率管理電路，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于多種通用高性能電路架構的需求。
