IXTH4N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有1500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和3.7A的連續漏極電流（ID），適用于中高電壓功率控制應用。導通電阻為1000mΩ（RDON），在保證良好導電性能的同時降低了功耗，柵源電壓（VGS）最大支持20V，增強了器件的控制精度與穩定性。該器件適合用于電源轉換、LED驅動、電機控制等電子電路中，具備良好的熱穩定性和可靠性，可滿足多種高性能功率電路的設計需求。
