IXTH4N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管 參數1:電流ID:3.7A 參數2:電壓VDSS:1500V 參數3:RDON:1000mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有1500V的漏源擊穿電壓(VDSS)和3.7A的連續漏極電流(ID),適用于中高電壓功率控制應用。導通電阻為1000mΩ(RDON),在保證良好導電性能的同時降低了功耗,柵源電壓(VGS)最大支持20V,增強了器件的控制精度與穩定性。該器件適合用于電源轉換、LED驅動、電機控制等電子電路中,具備良好的熱穩定性和可靠性,可滿足多種高性能功率電路的設計需求。
