IXTH2N150L-HXY_TO-3PF_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數(shù)1：電流ID:3.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備1500V漏源擊穿電壓（VDSS）和3.7A連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高電壓功率控制場景。導(dǎo)通電阻為1000mΩ（RDON），在保證開關(guān)性能的同時(shí)降低了導(dǎo)通損耗，柵源電壓（VGS）最大支持20V，提升了器件的控制穩(wěn)定性與適用范圍。該器件可廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED照明驅(qū)動、電機(jī)控制模塊及其他電子設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)電路，滿足多種通用型高性能電路對效率與可靠性的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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