IXTH3N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-3PF 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管 參數1:電流ID:3.7A 參數2:電壓VDSS:1500V 參數3:RDON:1000mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)具有1500V的漏源擊穿電壓(VDSS),可提供最高3.7A的工作電流(ID)。導通電阻(RDON)為1000mΩ,支持20V的柵源電壓(VGS),適用于多種高效能電源管理系統。該器件采用標準封裝形式,具備良好的熱穩定性和開關特性,適合用于高電壓隔離、功率調節及直流變換等場景。其設計兼顧性能與可靠性,可在多類電子設備中實現高效的功率控制功能。
