IXTH3N150-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有1500V的漏源擊穿電壓（VDSS），可提供最高3.7A的工作電流（ID）。導通電阻（RDON）為1000mΩ，支持20V的柵源電壓（VGS），適用于多種高效能電源管理系統。該器件采用標準封裝形式，具備良好的熱穩定性和開關特性，適合用于高電壓隔離、功率調節及直流變換等場景。其設計兼顧性能與可靠性，可在多類電子設備中實現高效的功率控制功能。
