2SK1835-E-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具有1500V漏源擊穿電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，適用于高電壓工作環境。在導通狀態下，最大漏極電流可達3.7A（ID），導通電阻為1000mΩ，具備良好的電流承載與低損耗特性。該器件常用于電源轉換、開關控制、直流穩壓及高電壓調節等電路設計中，滿足對性能與穩定性有要求的電力電子應用需求。
