HINN700TK240B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:700V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），屬于N溝道增強型器件，具備出色的高頻開關特性和低導通損耗。主要參數包括：漏極電流ID為10A，漏源電壓VDSS最高可達700V，導通電阻RDON為160mΩ，適用于高效率功率轉換設計。該晶體管可廣泛應用于消費類電子產品、高性能電源適配器、無線充電系統以及小型化電機驅動電路中，滿足對空間與效率有較高要求的設計場景。
