INN700TK240B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），采用N溝道結(jié)構(gòu)，具備優(yōu)異的導通與開關(guān)性能。主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS達700V，導通電阻RDON低至160mΩ，可支持高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換應用。該器件適用于消費類電源、高效能適配器、無線充電設(shè)備及精密電機控制等領(lǐng)域，提供穩(wěn)定可靠的功率解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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