INN700TK190C_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:700V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），屬于N溝道增強型器件，具備高耐壓與低導通損耗特性。主要參數包括：最大漏極電流ID為10A，漏源擊穿電壓VDSS為700V，導通電阻RDON為160mΩ，支持高頻開關與高效功率轉換。適用于消費類電源適配器、無線充電系統、LED照明驅動及通信基礎設施中的高效能電源模塊，助力實現更高效率與更小體積的電路設計。
