INN700TK190B_TO-252-2L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:700V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT），采用N溝道結(jié)構(gòu)設計，具備優(yōu)異的高頻與高效能特性。主要參數(shù)包括：漏極電流ID為10A，漏源耐壓VDSS達700V，導通電阻RDON為160mΩ，支持快速開關(guān)與低損耗運行。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、消費類快充設備、射頻功率放大器及高效率直流變換器等應用場景，滿足對小型化與高性能并重的設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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