FQD2N60CTF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:4200mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承載最大2A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為4200mΩ。該參數組合使其適用于中功率開關電路、電源轉換及小型電子設備中的高頻整流和控制場景，具備良好的熱穩定性和響應速度，適合用于各類需要高效能、小體積功率器件的設計中。
