C3M0040120J1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:68A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅N溝道場效應管（MOSFET）具備優異的電學性能，漏極電流ID為68A，漏源擊穿電壓VDSS達1200V，導通電阻RDON僅為40mΩ，支持高效、低損耗的電力傳輸。基于碳化硅材料的優勢，該器件具備更高的熱穩定性和開關效率，適用于高頻率、高功率電源轉換系統，如高效能適配器、儲能設備、智能電網以及精密電子控制模塊等應用場景。
