STD2LN60K3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:2A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:4200mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數為：漏極電流ID為2A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導通電阻RDON為4200mΩ。該器件具備較高的耐壓能力與良好的開關特性，適用于中功率電源轉換、電池管理系統、智能照明控制及各類消費類電子設備中的功率控制電路。其性能穩定，能夠滿足多種通用型高壓應用場景的技術需求。
