STD2LN60K3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:2A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:4200mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管(MOSFET)主要參數為:漏極電流ID為2A,漏源擊穿電壓VDSS為650V,導通電阻RDON為4200mΩ。該器件具備較高的耐壓能力與良好的開關特性,適用于中功率電源轉換、電池管理系統、智能照明控制及各類消費類電子設備中的功率控制電路。其性能穩定,能夠滿足多種通用型高壓應用場景的技術需求。
