STD2LN60K3-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:4200mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)為：漏極電流ID為2A，漏源擊穿電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDON為4200mΩ。該器件具備較高的耐壓能力與良好的開關(guān)特性，適用于中功率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、智能照明控制及各類消費(fèi)類電子設(shè)備中的功率控制電路。其性能穩(wěn)定，能夠滿足多種通用型高壓應(yīng)用場(chǎng)景的技術(shù)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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