C2M0280120D-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持7A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為320mΩ（RDON），展現(xiàn)出優(yōu)異的高壓與高頻工作性能。憑借碳化硅材料特性，該器件在高溫、高頻率環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行，適用于電源轉(zhuǎn)換、無線充電、光伏逆變等高效率電路系統(tǒng)。其高耐壓能力和良好的導(dǎo)電性能，使其成為高性能電力電子裝置的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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