C3M0350120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持7A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為320mΩ（RDON），在高壓與高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。基于碳化硅材料的優(yōu)勢，該器件具備更高的熱穩(wěn)定性和更低的能量損耗，適用于電源轉(zhuǎn)換、新能源設(shè)備及高效率電路設(shè)計。其優(yōu)異的開關(guān)性能和耐壓能力，使其在復(fù)雜電磁環(huán)境中仍能保持可靠運行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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