NVBG040N120SC1-HXY_TO-263-7L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:68A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具有良好的導通特性和高效的開關表現。其額定漏極電流ID為68A，導通電阻RDON為40mΩ，有助于降低功率損耗并提升整體系統效率。該器件基于碳化硅材料設計，具備耐高壓、耐高溫及抗電磁干擾等特性，適用于高頻率電力轉換、高效能電源管理及高性能功率模塊等多種應用場合，滿足復雜電路對穩定性和可靠性的要求。
