NVBG040N120SC1-HXY_TO-263-7L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-263-7L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:800/圓盤 參數1:電流ID:68A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:40mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管(MOSFET),具有良好的導通特性和高效的開關表現。其額定漏極電流ID為68A,導通電阻RDON為40mΩ,有助于降低功率損耗并提升整體系統效率。該器件基于碳化硅材料設計,具備耐高壓、耐高溫及抗電磁干擾等特性,適用于高頻率電力轉換、高效能電源管理及高性能功率模塊等多種應用場合,滿足復雜電路對穩定性和可靠性的要求。
