NTBG040N120SC1-HXY_TO-263-7L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:68A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道場效應管（MOSFET），具備較高的電流承載能力和優異的導通性能。其最大漏極電流ID為68A，導通電阻RDON為40mΩ，可在高電壓環境下實現較低的導通損耗。器件采用成熟工藝制造，具有良好的熱穩定性和可靠性，適用于高頻電源轉換、高效能電力控制及各類高密度功率模塊設計，滿足多樣化電子系統對效率與穩定性的需求。
