DMTH6016LK3Q-13-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V漏源擊穿電壓（VDSS）和50A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通狀態(tài)下的漏源電阻低至11mΩ（RDON），可顯著減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件采用優(yōu)化設(shè)計，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓電路、電池管理系統(tǒng)及各類便攜式電子設(shè)備中的功率控制應(yīng)用，滿足對性能與尺寸均有較高要求的使用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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