AIMW120R060M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款碳化硅（SiC）N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET）具有1200V的漏源耐壓（VDSS）和40A的最大漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為60毫歐，具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能與低損耗特性。基于碳化硅材料的寬禁帶半導(dǎo)體特性，該器件支持高頻開關(guān)操作，同時減少開關(guān)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。適用于高性能電源轉(zhuǎn)換設(shè)備、新能源發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度電源適配器等場景，為高效、小型化的電路設(shè)計(jì)提供可靠支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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