DMTH6016LK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V漏源電壓（VDSS）與50A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻僅為11mΩ（RDON），有效降低功率損耗并提升整體效率。器件結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，適用于多種高要求電路環(huán)境，如高效電源轉(zhuǎn)換、負載控制、開關(guān)電路及便攜式設(shè)備中的功率管理模塊，為系統(tǒng)提供可靠性能支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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