IRLR2905ZTRLPBF-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（MOSFET），具備60V的漏源耐壓（VDSS）和50A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至11mΩ（RDON），可有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。采用成熟穩(wěn)定的制造工藝，確保器件在高負(fù)載條件下仍能保持良好性能。適用于電源管理、開關(guān)電路、負(fù)載開關(guān)及各類高效能轉(zhuǎn)換設(shè)備中，滿足對小型化與高可靠性要求較高的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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