SI2399DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:30mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有20V的漏源耐壓（VDSS），可承載連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)5A，導(dǎo)通電阻（RDON）低至30毫歐，適用于需要高效功率控制的場(chǎng)景。器件采用先進(jìn)工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適用于電源管理、便攜式設(shè)備、DC-DC轉(zhuǎn)換器及各類中低功率電路設(shè)計(jì)，為電路提供可靠的能量傳輸與控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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