SI2399DS-T1-GE3-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:30mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有20V的漏源耐壓（VDSS），可承載連續漏極電流（ID）達5A，導通電阻（RDON）低至30毫歐，適用于需要高效功率控制的場景。器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和快速開關特性，適用于電源管理、便攜式設備、DC-DC轉換器及各類中低功率電路設計，為電路提供可靠的能量傳輸與控制能力。
